6. Единичная грань. Правила установки кристалла

Установка кристаллов - это выбор системы координатных осей и единичной или масштабной грани. Установка кристаллов может быть произвольная и стандартная. В стандартной установке соблюдают единые (международные) правила выбора системы координат и единичной грани с учетом симметрии и сингонии кристалла. Системы координатных осей в кристаллографии могут быть трехосные и четырехосные в зависимости от симметрии кристалла. В реальных кристаллах кристаллографические оси проходят по рядам пространственных кристаллических решеток.

Единичная грань Единичная грань отсекает на координатных осях отрезки (линейные параметры), принятые за единичные измерения. Грань общего положения отсекает на осях отрезки разной длины непропорциональные единичным (рисунок 3). Рисунок 3 - Единичная грань а0в0с0 и грань общего положения авс.

Правила выбора единичной грани кристалла:

• ao=bo=co. Для кубических кристаллов высшей категории единичная грань по всем осям имеет равные линейные параметры.

• ao=bo≠co. Для кристаллов средней категории (тригональные, тетрагональные, гексагональные сингонии) единичная грань должна отсекать по горизонтальным осям одинаковые отрезки, а по оси Z - неравный (по оси Z свой масштаб измерения).

• (ao≠bo≠co). Для кристаллов низшей категории (ромбических, моноклинных и триклинных) линейные параметры единичной грани по всем осям имеют свой масштаб измерения.